Transistor công suất NPN silicon isc 2SC5354MÔ TẢĐiện áp đánh thủng cực thu-cực phát cao: V = 800V(Tối thiểu)(BR)Tốc độ chuyển mạch caoBiến thể tối thiểu giữa các lô cho hiệu suất thiết bị mạnh mẽ và hoạt động đáng tin cậyỨNG DỤNGỨAỨng dụng chuyển mạch tốc độ cao và điện áp cao.Ứng dụng bộ điều chỉnh chuyển mạch.Ứng dụng bộ chuyển đổi DC-DC tốc độ cao.TUYỆT ĐỐI M
Ký hiệu loại: C5354
Vật liệu của Transistor: Si
Cực tính: NPN
Công suất tiêu tán cực đại của cực thu (Pc): 100 W
Điện áp cực gốc cực đại |Vcb|: 900 V
Điện áp cực gốc cực đại |Vce|: 800 V
Điện áp cực gốc cực đại |Veb|: 7 V
Dòng điện cực gốc cực đại |Ic max|: 5 A
Nhiệt độ tiếp giáp hoạt động tối đa (Tj): 150 °C
Tỷ lệ truyền dòng thuận (hFE), MIN: 15
Hệ số nhiễu, dB: –

Gọi ngay
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.